特許
J-GLOBAL ID：200903013588797856
半導体ウエハの面取方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松浦 憲三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-314755
公開番号（公開出願番号）：特開平5-152259
出願日： 1991年11月28日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：
【要約】【目的】 半導体ウエハの面取加工面の面精度を向上させる。【構成】 半導体ウエハ20の回転軸P-Pに対して、砥石22の回転軸O-Oは半導体ウエハ20の接線方向にθだけ傾いている。従って砥石22の砥粒運動方向は、研削方向分力A1 と直角方向分力A2 とに分けられ、これらの分力が作用砥粒数を増大させ、面取形状の精度及び面粗さの向上が図れる。
請求項（抜粋）：
回転する半導体ウエハの周縁に回転する砥石を当接して半導体ウエハの周縁を研磨する半導体ウエハの面取方法に於いて、前記砥石の回転軸を半導体ウエハ外周の接線方向に傾けて半導体ウエハの周縁を研磨することを特徴とする半導体ウエハの面取方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 301
, B24B 9/00
, H01L 21/304 321
