特許
J-GLOBAL ID：200903013593644553
ヘテロバイポーラ型半導体装置とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-111577
公開番号（公開出願番号）：特開平10-303214
出願日： 1997年04月28日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：
【要約】【課題】 ベース抵抗が低く、かつ信頼性の高いヘテロバイポーラ型半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 支持基板上に形成されたコレクタ層と、コレクタ層の上に形成されたベース層を有する。ベース層の一部の領域上に、Inを含み、ベース層よりも大きなバンドギャップを有するエミッタ兼ガードリング層が形成されている。エミッタ兼ガードリング層の上に、Inを含まない保護層が形成されている。保護層の外周近傍を除く一部の領域上にエミッタメサ構造体が形成されている。ベース層の表面のうちエミッタ兼ガードリング層の形成されていない領域から、保護層の表面のうちその外周よりもやや内側の領域までを連続的に覆うようベース電極が形成されている。エミッタメサ構造体の外周とベース電極の端部との間に、エミッタ兼ガードリング層と保護層との積層からなるガードリング部が画定される。
請求項（抜粋）：
支持基板と、前記支持基板上に形成された化合物半導体からなるコレクタ層と、前記コレクタ層の上に形成された化合物半導体からなるベース層と、前記ベース層の一部の領域上に形成され、III族の構成元素としてInを含み、前記ベース層よりも大きなバンドギャップを有するIII-V族化合物半導体からなるエミッタ兼ガードリング層と、前記エミッタ兼ガードリング層の上に形成され、III族の構成元素としてInを含まないIII-V族化合物半導体からなる保護層と、前記保護層の外周近傍を除く一部の領域上に形成された化合物半導体からなるエミッタキャップ層を含むエミッタメサ構造体と、前記ベース層の表面のうち前記エミッタ兼ガードリング層の形成されていない領域から、前記保護層の表面のうちその外周よりもやや内側の領域までを連続的に覆うように形成され、前記ベース層とオーミック接触するベース電極であって、前記エミッタメサ構造体の外周と前記ベース電極のエミッタメサ構造体側の端部との間に、前記エミッタ兼ガードリング層と前記保護層との積層からなるガードリング部を画定するベース電極とを有するヘテロバイポーラ型半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/205
