特許
J-GLOBAL ID：200903013600256858
五酸化タンタル層を用いた集積回路用コンデンサを製造するための方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡部 正夫 (外11名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-006224
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208744
出願日： 2000年01月12日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、五酸化タンタル層を用いた集積回路用コンデンサを製造するための方法に関する。【解決手段】 本発明は、集積回路用のコンデンサを製造するための方法に関する。この方法は、一つの好ましい実施例においては、半導体基板に隣接して(上面に)、窒化金属の表面部分を有する第一の金属電極を形成するステップ;窒化金属の表面部分の上に、五酸化タンタル層を、温度をこの第一の金属電極の酸化温度より低く維持しながら、形成するステップ;前記五酸化タンタル層を遠隔プラズマアニールリングするステップ;および、前記五酸化タンタル層に隣接して第二の電極を形成するステップ、から構成される。前記五酸化タンタル層を形成するステップは、好ましくは、五酸化タンタルを、約500°Cより低い温度にて、化学蒸着することによって行なわれる。これによって、金属の酸化が防止され、高品質の五酸化タンタルが形成される。前記第一の金属電極の金属は、チタン、タングステン、タンタル、プラチナ、ルテニウム、イリジウム、もしくはこれらの合金の少なくとも一つから成る。
請求項（抜粋）：
集積回路のコンデンサを製造するための方法であって、半導体基板に隣接して(上面に)第一の金属電極を形成するステップ;前記第一の金属電極の上に五酸化タンタル層を、温度を前記第一の金属電極の酸化温度より低く維持しながら、形成するステップ;前記五酸化タンタル層の少なくとも一度の遠隔プラズマアニールを、温度を前記第一の金属電極の酸化温度より低く維持しながら、遂行するステップ;および前記アニーリングのステップの後に、前記五酸化タンタル層に隣接して第二の電極を、温度を前記第一の金属電極の酸化温度より低く維持しながら形成するステップを含むことを特徴とする方法。
IPC (4件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 27/04
, H01L 21/822
H01L 27/10 621 C
, H01L 27/04 C
