特許
J-GLOBAL ID：200903013610052649
反射型マスクブランクス及び反射型マスク並びに半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大塚 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-100101
公開番号（公開出願番号）：特開2005-286203
出願日： 2004年03月30日
公開日（公表日）： 2005年10月13日
要約：
【課題】高反射率の反射領域が得られ、しかも反射率の変動が少ない(反射率の経時変化が小さい)反射型マスクブランクス及び反射型マスクを提供する。【解決手段】基板1と、該基板上に順次形成された、露光光を反射する多層反射膜2と、多層反射膜2上の保護膜6と、バッファー層3と、露光光を吸収する吸収体膜4とを有する反射型マスクブランクス10であって、前記保護膜6は、ルテニウム(Ru)と珪素(Si)とを含み、珪素(Si)の含有量がルテニウム(Ru)の含有量よりも多いルテニウム化合物から形成される。反射型マスク20は、この反射型マスクブランクス10の吸収体膜4に転写パターン4aが形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、該基板上に形成された露光光を反射する多層反射膜と、該多層反射膜上に形成された該多層反射膜の最上層の膜を保護する保護膜と、該保護膜上に形成された露光光を吸収する吸収体膜とを有する反射型マスクブランクスであって、
前記保護膜は、ルテニウム(Ru)と珪素(Si)とを含み、珪素(Si)の含有量がルテニウム(Ru)の含有量よりも多いルテニウム化合物からなることを特徴とする反射型マスクブランクス。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/30 531M
, G03F1/16 A
2H095BA10
, 2H095BB25
, 2H095BC20
, 5F046GA03
, 5F046GD07
, 5F046GD10
