イオン注入方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井桁貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-271494
公開番号（公開出願番号）：特開平5-109641
出願日： 1991年10月18日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：

【要約】【目的】高イオン電流のイオン注入装置を用いるイオン注入に於いて、基板表面の絶縁物表面に電荷が長時間滞留することのない注入方法を提供すること。【構成】マトリックスに配置されたチップ領域の間のスクライブ領域に放電路を設け、これを接地することで送り込まれた電荷を速やかに放電する。放電路をポリSi等で厚めに形成しておけば、ウエハを支持具に装着するだけで放電路は接地される。

請求項（抜粋）：

複数のチップ領域(1)が配列された半導体基板(3)にイオン注入を行うに際し、該チップ領域間に設けられたスクライブ領域に帯状の導電体(2)を被着形成し、該導電体を該イオン注入装置の基板保持装置に電気的に接続した状態でイオンビームを照射することを特徴とするイオン注入方法。

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