特許

J-GLOBAL ID：200903013613855009

電界効果型化合物半導体装置

発明者： 市川 博一 ,  梅本 康成 ,  森 光廣 ,  小野 秀行
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-277399
公開番号（公開出願番号）：特開平8-139106
出願日： 1994年11月11日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：

【要約】【目的】 チャネル層3に引っ張り性の接線応力が作用する事を防ぐ。【構成】 ゲート電極5の方向を3-5化合物の(1 0 0)面上の〔0 1 1〕方向にとり、チャネル層3の上に、ゲート電極5、ソース電極7、ドレイン電極8がある。ゲート電極5の上に層間絶縁膜12が接し、層間絶縁膜12の圧縮性の内部応力はゲート電極5の引っ張り性の内部応力を抑える。【効果】 電界効果型化合物半導体装置のソース抵抗の低減およびしきい電圧の温度変化の低減がはかられる。

請求項（抜粋）：

チャネル層の上方に接し、または、上方にソース電極、ドレイン電極、ゲート電極があり、前記チャネル層としてn型3-5化合物半導体を用い、前記ゲート電極として引っ張り性の内部応力を持つ金属膜を用い、前記ゲート電極の方向を3-5化合物の(1 0 0)面上の〔0 1 1〕方向にとり、前記ゲート電極に発生する内部応力と反対方向である圧縮性の内部応力を持つ絶縁体膜が前記ゲート電極上に接している事を特徴とする電界効果型化合物半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778

FI (2件)：

H01L 29/80 B ,  H01L 29/80 H