特許

J-GLOBAL ID：200903013614419423

ポジ型ホトレジスト組成物

発明者： 沢野 敦 ,  沼田 麗美 ,  加藤 哲也 ,  徳竹 信生 ,  小原 秀克 ,  中山 寿昌
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (1件)： 阿形 明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-167261
公開番号（公開出願番号）：特開平8-029976
出願日： 1994年07月19日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：

【要約】【構成】 (A)アルカリ可溶性樹脂、(B)キノンジアジド基含有化合物及び(C)一般式【化1】(式中のR1、R2及びR3はそれぞれ水素原子又は低級アルキル基、Ar1、Ar2及びAr3はそれぞれ1〜3個のヒドロキシル基をもつ核置換又は未置換のベンジル基であり、x、y及びzはそれぞれ1〜3の整数、l、m及びnはそれぞれ1又は2の整数である)で表わされるポリフェノール性化合物の少なくとも1種を含有したことを特徴とするポジ型ホトレジスト組成物である。【効果】本発明のポジ型ホトレジスト組成物は、高感度、高解像性で保存安定性が優れ、かつ耐熱性及びパターン形状に優れたレジストパターンを形成でき、高い精密性を必要とする高集積度の半導体デバイスや液晶デバイスの製造用として好適である。

請求項（抜粋）：

(A)アルカリ可溶性樹脂、(B)キノンジアジド基含有化合物及び(C)一般式【化1】(式中のR1、R2及びR3はそれぞれ水素原子又は低級アルキル基、Ar1、Ar2及びAr3はそれぞれ1〜3個のヒドロキシル基をもつ核置換又は未置換のベンジル基であり、x、y及びzはそれぞれ1〜3の整数、l、m及びnはそれぞれ1又は2の整数である)で表わされるポリフェノール性化合物の少なくとも1種を含有したことを特徴とするポジ型ホトレジスト組成物。

IPC (2件)：

G03F 7/022 ,  H01L 21/027