特許
J-GLOBAL ID：200903013619533640
真空装置の汚染検出方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-279087
公開番号（公開出願番号）：特開平10-123028
出願日： 1996年10月22日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：
【要約】【課題】 真空装置の汚染検出方法に関し、真空装置に於ける導入室で発生するウエハの汚染を簡単、且つ、低コストで検出できるようにし、製品ウエハ処理の安定化に寄与しようとする。【解決手段】 成長装置やエッチング装置などの真空装置で半導体ウエハの処理を行なうに際し、加熱に依って清浄化可能なダミー試料8Aが設置された導入室1を経由して該真空装置に該半導体ウエハを導入し、半導体ウエハの処理を開始するに先立ってダミー試料8Aの表面状態をCMA8に依って観測することで導入室1内汚染の有無を検出する。
請求項（抜粋）：
真空装置で半導体ウエハの処理を行なうに際し、加熱に依って清浄化可能なダミー試料が設置された導入室を経由して該真空装置に該半導体ウエハを導入し、半導体ウエハの処理を開始するに先立って前記ダミー試料の表面状態を観測することで導入室内汚染の有無を検出することを特徴とする真空装置の汚染検出方法。
IPC (5件)：
G01N 1/02
, G01N 23/227
, G01N 27/62
, H01L 21/205
, H01L 21/66
G01N 1/02 N
, G01N 23/227
, G01N 27/62 V
, H01L 21/205
, H01L 21/66 L
