半導体フォトプロセス用露光装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山口巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-113837
公開番号（公開出願番号）：特開平5-315217
出願日： 1992年05月07日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：

【要約】【目的】半導体フォトプロセスにおいてウエハに塗布されたフォトレジスト膜にフォトマスクのパターンを露光する際に、ウエハ面の反射率にウエハごとにあるいはウエハ面内でばらつきがあっても、フォトレジスト膜の感光パターンの精度が低下しないようにする。【構成】ウエハ1の表面上にスピンコートされたフォトレジスト膜2に対しフォトマスク3のパターンを露光する前に、投光手段70から弱い照明光Liを露光範囲ERに露光光束Leと別経路で与え、そのウエハ1の表面からの反射光Lrを測光手段80により測定して例えばプロセッサ90によってウエハ1の反射率を計算し、その結果に応じてフォトレジスト膜2に与える露光量を例えばシャッタ60を開く露光時間によって調整する。

請求項（抜粋）：

半導体装置を作り込むウエハにフォトマスクの通過光を与え、ウエハ上のフォトレジスト膜をフォトマスクで指定されるパターンに露光させる装置であって、ウエハ内の露光範囲にのみ弱い照明光をフォトマスクの通過光と別の経路で与える投光手段と、照明光の露光範囲からの反射光の強度を測定する測光手段とを設け、露光に先立ち投光手段からウエハに照明光を与えて反射光の強度を測光手段により測定し、この測定結果に応じてフォトレジスト膜をフォトマスクのパターンに露光させるための露光量を制御するようにしたことを特徴とする半導体フォトプロセス用露光装置。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 521

FI (2件)：

H01L 21/30 311 L , H01L 21/30 301 G

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