特許

J-GLOBAL ID：200903013620051462

半導体装置およびその製造方法

発明者： 岡田 多佳子 ,  神林 茂 ,  矢吹 宗 ,  恩賀 伸二 ,  綱島 祥隆 ,  見方 裕一 ,  岡野 晴雄
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 木村 高久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-245289
公開番号（公開出願番号）：特開平6-084793
出願日： 1992年09月14日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、低温下で結晶性の良好な単結晶および多結晶を提供することを目的とする。また、本発明は、固相成長法を用い、信頼性の高い半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 本発明では、基板1上に、非晶質薄膜3を該薄膜の主構成元素の平均原子間隔が、該元素の単結晶における平均原子間隔の1.02倍以上となるように非晶質薄膜3を堆積し、この非晶質薄膜に結晶化エネルギーを付与することにより固相成長を行い単結晶4を形成するようにしている。また本発明では、非晶質半導体薄膜を基板あるいは絶縁膜上に堆積するにあたり、特に、その膜を構成する主元素からなる非晶質膜の平均原子間隔分布が、単結晶の平均原子間隔分布にほぼ一致するように形成し、これに再結晶化エネルギーを付与し固相成長を行い単結晶半導体薄膜3を形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に、非晶質薄膜を該薄膜の主構成元素の平均原子間隔が、該元素の単結晶における平均原子間隔の1.02倍以上となるように非晶質薄膜を堆積する工程と、前記非晶質薄膜に結晶化エネルギーを付与することにより固相成長を行い単結晶を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/20 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 27/06 321 E ,  H01L 29/78 311 Y

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-058563
  
• 特開平1-289240
  
• 特開平1-196116