特許

J-GLOBAL ID：200903013620724572

半導体装置およびその製造方法

発明者： 太田 博 ,  紀川 健
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ ,  株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-247970
公開番号（公開出願番号）：特開2004-087868
出願日： 2002年08月28日
公開日（公表日）： 2004年03月18日
要約：

【課題】エミッタトップ型HBTにおけるエミッタ・ベース間のリーク電流の増加を防止し、また、コレクタトップ型HBTにおけるCbcの低減を図った半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板と、コレクタ層、ベース層およびエミッタ層と、該コレクタ層、ベース層およびエミッタ層にそれぞれ電気的に接続されたコレクタ電極、ベース電極およびエミッタ電極を有するバイポーラトランジスタの、エミッタ層またはコレクタ層側方でベース層上方に空隙を有する半導体装置とする。【効果】エミッタトップ型HBTにおいては、エミッタ層とベース層の接合付近の表面に絶縁膜を形成することによるhFEの低下、エミッタ層とベース層の接合付近の表面が大気にさらされることによるhFEの低下を防止できる。また、コレクタトップ型HBTにおいては、Cbcの低減が可能となる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板と、コレクタ層、ベース層およびエミッタ層と、該コレクタ層、ベース層およびエミッタ層にそれぞれ電気的に接続されたコレクタ電極、ベース電極およびエミッタ電極を有するバイポーラトランジスタの、エミッタ層またはコレクタ層側方でベース層上方に空隙を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L21/331 ,  H01L21/8222 ,  H01L27/082 ,  H01L29/737

FI (2件)：

H01L29/72 H ,  H01L27/08 101B

Fターム (29件)：

5F003AP04 ,  5F003AP05 ,  5F003BA13 ,  5F003BA22 ,  5F003BA92 ,  5F003BF06 ,  5F003BG06 ,  5F003BJ99 ,  5F003BM03 ,  5F003BN02 ,  5F003BP11 ,  5F003BP31 ,  5F003BP95 ,  5F082AA06 ,  5F082AA13 ,  5F082BA21 ,  5F082BA31 ,  5F082BA47 ,  5F082BC01 ,  5F082BC03 ,  5F082CA03 ,  5F082DA03 ,  5F082EA13 ,  5F082EA14 ,  5F082EA17 ,  5F082EA20 ,  5F082EA23 ,  5F082FA11 ,  5F082GA04