特許

J-GLOBAL ID：200903013621178784

BドープP型Si中のFe濃度測定方法

発明者： 宮崎 守正
出願人/特許権者： 九州電子金属株式会社 ,  住友シチックス株式会社
代理人 (1件)： 森 正澄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-215297
公開番号（公開出願番号）：特開平6-069301
出願日： 1992年08月12日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：

【要約】【目的】 高レベル注入光導電減衰法によって再結合ライフタイムを測定することにより、ウエーハ内のFe濃度を正確且つ容易に導出すること。【構成】 BドープP型Siを試料とし、高レベル注入である光導電減衰法により、Fe-B解離前のライフタイムτ0と、Fe-B解離後のライフタイムτ1を測定すると共に、同サンプルに対しDLTS法或いはSPV法でFe濃度〔Fe〕を求めて下記式の比例定数αをあらかじめ決定しておき、以後の測定においてFe-B解離前後のライフタイムτ0,τ1と前記比例定数αとを用いて下記式(A)によりFe濃度〔Fe〕を導出するBドープP型Si中のFe濃度測定方法。〔Fe〕=α〔(1/τ0)-(1/τ1)〕...(A)、但し〔Fe〕:Fe濃度、α:比例定数、τ0:Fe-B解離前のライフタイム、τ1:Fe-B解離後のライフタイム

請求項（抜粋）：

BドープP型Siを試料とし、高レベル注入である光導電減衰法により、Fe-B解離前のライフタイムτ0と、Fe-B解離後のライフタイムτ1を測定すると共に、同サンプルに対しDLTS法或いはSPV法でFe濃度〔Fe〕を求めて下記式の比例定数αをあらかじめ決定しておき、以後の測定においてFe-B解離前後のライフタイムτ0,τ1と前記比例定数αとを用いて下記式(A)によりFe濃度〔Fe〕を導出することを特徴とするBドープP型Si中のFe濃度測定方法。〔Fe〕=α〔(1/τ0)-(1/τ1)〕...(A)但し〔Fe〕:Fe濃度α:比例定数τ0:Fe-B解離前のライフタイムτ1:Fe-B解離後のライフタイム

IPC (2件)：

H01L 21/66 ,  G01N 27/00