特許
J-GLOBAL ID：200903013622906333
アルミニウム合金薄膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八田 幹雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-170142
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021385
出願日： 1991年07月10日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：
【要約】【目的】 半導体集積回路の配線技術として応用した際に、高アスペクト比のコンタクトホールを完全平坦化し得る金属薄膜の形成が可能なアルミニウム合金薄膜の製造方法を得る。【構成】 トリアルキルアルミニウムおよびジアルキルヒドリロアルミニウムのうち少なくとも1つを含む有機アルミニウム化合物と、銅キレート化合物および珪素原子数1〜3のシラン化合物のうち少なくともいずれかを、250〜400°Cに加熱された基板を収納してなる反応容器内に、ガス状で導入して、基板上にアルミニウム合金薄膜を形成し、上記薄膜が形成された基板に対し、不活性ガスまたは水素雰囲気下400〜450°Cで熱処理を行なう。
請求項（抜粋）：
トリアルキルアルミニウムおよびジアルキルヒドリロアルミニウムのうち少なくとも1つを含む有機アルミニウム化合物と、銅キレート化合物および珪素原子数1〜3のシラン化合物とを250〜400°Cに加熱された基板を収納してなる反応容器内に、ガス状で導入して、基板上にCu 0〜5%、Si0〜2%(ただし、CuおよびSiがいずれも0となることはない。)を含むアルミニウム合金薄膜を形成し、上記薄膜が形成された基板に対し、不活性ガスまたは水素雰囲気下400〜450°Cで熱処理を行なうことを特徴とするアルミニウム合金薄膜の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/285 301
, H01L 21/3205
