特許

J-GLOBAL ID：200903013629627740

半導体装置及びその製造方法

発明者： 水戸部 一彦 ,  新間 康弘 ,  薗 陸郎 ,  山口 一郎 ,  関 正明
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-307763
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148484
出願日： 1995年11月27日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：

【要約】【課題】本発明は半導体素子を搭載する基板を有した半導体装置及びその製造方法に関し、信頼性,放熱特性の向上を図ることを課題とする。【解決手段】半導体素子21と、金属部材により形成されると共に半導体素子21が搭載される素子搭載部26が設けられた金属基板24と、この金属基板24に形成されており半導体素子21に配線フィルム29を介して電気的に接続されるボールバンプ22と、素子搭載部26に形成されており金属基板24に発生する歪みを吸収する空間部27と、素子搭載部26の上面及び下面を共に被覆するよう形成され半導体素子21を封止する封止樹脂23とを具備する構成とする。

請求項（抜粋）：

半導体素子と、金属部材により形成されており、段差部に前記半導体素子が搭載される素子搭載部が設けられた金属基板と、前記金属基板に形成されており、前記半導体素子に配線手段を介して電気的に接続されると共に実装時に外部電極と接続される外部接続端子と、前記素子搭載部に形成されており、前記金属基板に発生する歪みを吸収する空間部と、前記素子搭載部の上面及び下面を共に被覆するよう前記金属基板に形成されており、前記半導体素子を封止する封止樹脂とを具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/12 ,  H01L 21/56 ,  H01L 21/60 301

FI (3件)：

H01L 23/12 L ,  H01L 21/56 R ,  H01L 21/60 301 A