特許
J-GLOBAL ID：200903013630152950
高周波電力の非接触給電装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
増田 竹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-147053
公開番号（公開出願番号）：特開平7-337035
出願日： 1994年06月06日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：
【要約】【目的】 回路構成が簡単で高効率な高周波電力の非接触給電装置を実現する。【構成】 ダイオード11と12、コンデンサ13,14,15,16および抵抗17より成る倍電圧全波整流回路、抵抗とダイオードより成る並列回路を介して可飽和変圧器の2次巻線3と4をゲート巻線とするFET6と7より成るロイヤー発振回路、抵抗8とコンデンサ10、ダイオード18と20より成る起動用ゲートバイアス安定回路、主変圧器の1次巻線1の両端に抵抗9を介して並列接続した1次巻線2と2つの2次巻線3と4を備えた発振用可飽和変圧器、この可飽和変圧器の巻線を介してロイヤー発振回路の発振する高周波電力を出力する1次巻線を備えた主変圧器とによって構成した。
請求項（抜粋）：
2つのコンデンサより成る直列回路に並列接続した同一構成の直列回路と、前記2組のコンデンサより成る直列回路の中点間に挿入した抵抗とによって構成した平滑回路と、さらに2つの整流ダイオードとによって構成した倍電圧全波整流回路と、主変圧器の1次巻線(1)の両端に抵抗を介して並列接続した1次巻線(2)と、2組の2次巻線(3)と(4)を備えた発振用可飽和変圧器と、抵抗とダイオードより成る並列回路を介して前記可飽和変圧器の2次巻線(3)と(4)のそれぞれの一端に接続したゲート回路を備えたFET(6)とFET(7)のそれぞれのソース端子とドレイン端子を接続すると共に、前記FET(6)のドレイン端子とFET(7)のソース端子を前記倍電圧全波整流回路の平滑回路の両端に並列接続して構成したFETより成るロイヤー発振回路と、前記倍電圧全波整流回路の平滑回路の両端に並列接続した抵抗(8)とコンデンサ(10)より成る直列回路と、この直列回路における抵抗(8)とコンデンサ(10)の接続点とFET(6)のソース端子とFET(7)のドレイン端子の接続点間に挿入したダイオード(18)と、前記直列回路におけるコンデンサ(10)に並列接続すると共に可飽和変圧器の2次巻線(4)の他端と接続したダイオード(20)と、によって構成した前記ロイヤー発振回路における起動用ゲートバイアス安定回路と、前記倍電圧全波整流回路の平滑回路における2つのコンデンサの中点と前記FET(6)のソース端子とFET(7)のドレイン端子との接続点間に挿入した1次巻線(1)を備え、前記可飽和変圧器の1次巻線(2)を介してロイヤー発振回路において生成された高周波電力を前記1次巻線(1)から出力する主変圧器と、によって構成したことを特徴とする高周波電力の非接触給電装置。
IPC (4件)：
H02M 7/5387
, H02J 17/00
, H02M 7/537
, H02M 7/5383
