特許
J-GLOBAL ID：200903013632206330
複合基板の製造方法とそれを用いた圧電素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-113314
公開番号（公開出願番号）：特開平9-027645
出願日： 1996年05月08日
公開日（公表日）： 1997年01月28日
要約：
【要約】【課題】熱膨張率の異なる基板を直接接合により接合することにより得られる複合基板において、接合部での応力を低減することにより基板の破損等の問題を解決し、量産性の高い複合基板の製造方法およびその基板を用いることによって特性の優れた圧電素子を得る。【解決手段】第1の基板1の少なくとも一方の主面を鏡面仕上げし、第1の基板1とは熱膨張率の異なる第2の基板2の少なくとも一方の主面を鏡面仕上げし、第1の基板1の主面と前記第2の基板2の主面を互いに重ね合わせ、第1の基板1と第2の基板2が固着を起こす温度よりも低い温度で第1の熱処理を行い、第1の基板1および前記第2の基板2を重ね合わせた状態で少なくとも2つ以上の小片に分割し、前記第1の基板と前記第2の基板が固着を生じる温度で前記小片に第2の熱処理を行う。
請求項（抜粋）：
下記A〜Fの工程を含む複合基板の製造方法。A.第1の基板の少なくとも一方の主面を鏡面仕上げし、B.前記第1の基板とは熱膨張率の異なる第2の基板の少なくとも一方の主面を鏡面仕上げし、C.前記第1の基板の主面と前記第2の基板の主面を互いに重ね合わせ、D.その後、前記第1の基板と前記第2の基板が固着を起こす温度よりも低い温度で第1の熱処理を行い、E.その後、前記第1の基板および前記第2の基板を重ね合わせた状態で少なくとも2つ以上の小片に分割し、F.前記第1の基板と前記第2の基板が固着を生じる温度で前記小片に第2の熱処理を行う。
IPC (13件)：
H01L 41/22
, C30B 29/06
, C30B 29/18
, C30B 29/30
, C30B 29/40
, C30B 33/02
, C30B 33/06
, H01L 21/02
, H01L 25/16
, H01L 41/09
, H03H 3/02
, H03H 9/02
, H03H 9/05
H01L 41/22 Z
, C30B 29/06 B
, C30B 29/18
, C30B 29/30 Z
, C30B 29/40 C
, C30B 33/02
, C30B 33/06
, H01L 21/02 C
, H01L 25/16
, H03H 3/02 B
, H03H 9/02 K
, H03H 9/05
, H01L 41/08 C
