特許

J-GLOBAL ID：200903013640264748

気相成長装置

発明者： 國米 和夫
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-135116
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326038
出願日： 1993年05月14日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：

【要約】【目的】 複数の半導体ウエハを同時に処理する気相成長装置において、ウエハ面内、及び各ウエハ間において、膜厚のバラツキがなく、かつ小型の装置を提供する。【構成】 複数枚の半導体ウエハを同時に処理する気相成長装置において、前記複数枚の半導体ウエハ1を水平に載せるウエハポケット3を複数段設けたウエハ支持台2と、前記ウエハ支持台2を装入して気相成長反応を行なう反応管5と、前記ウエハ支持台2を前記反応管内5で回転させる手段と、前記ウエハポケット3各段ごとに設けられた気相成長用のガス吹出口7と、前記ガス流量を制御する手段と、を有することを特徴とする気相成長装置。

請求項（抜粋）：

複数枚の半導体ウエハを同時に処理する気相成長装置において、前記複数枚の半導体ウエハを水平に載せるウエハポケットを複数段設けたウエハ支持台と、前記ウエハ支持台を挿入して気相成長反応を行なう反応管と、前記ウエハ支持台を前記反応管内で回転させる手段と、前記ウエハポケット各段ごとに設けられた気相成長用のガス吹出口と、前記ガス流量を制御する手段とを有することを特徴とする気相成長装置。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/22 ,  H01L 21/26