特許
J-GLOBAL ID：200903013644930300
縦型MOS電界効果トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-011542
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218437
出願日： 1992年01月27日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：
【要約】【目的】縦型MOSFETの静電耐圧(特にMIL法)を多結晶シリコン・ダイオードの内部抵抗を小さくすることにより向上させる。【構成】縦型MOSFETのゲートとソース電極間に形成されている多結晶シリコン・ダイオード部22のP領域6bのイオン注入量を1×1015cm-2以上もしくは1×1018cm-3以上にすることにより、ダイオード内部抵抗を小さくし、容易に静電耐圧を向上できる。
請求項（抜粋）：
表面にソース電極及びゲート酸化膜に形成された多結晶シリコン・ゲート電極、裏面にドレイン電極が形成された縦型MOS電界効果トランジスタにおいて、酸化膜状に不純物濃度1×1018cm-3以上の多結晶シリコンに形成されたPN接合でなる多結晶シリコン・ダイオードを有し、該多結晶シリコン・ダイオードを前記ソース電極と前記多結晶シリコン・ゲート電極との間に接続したことを特徴とする縦型MOS電界効果トランジスタ。
引用特許：
前のページに戻る
