特許
J-GLOBAL ID：200903013646535999
半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲垣 清 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-177021
公開番号（公開出願番号）：特開平10-004239
出願日： 1996年06月17日
公開日（公表日）： 1998年01月06日
要約：
【要約】【課題】 簡素な工程で製造できるリッジ構造の半導体発光素子を提供する。【解決手段】 半導体レーザには、リッジ構造19〜21と活性層16との間に選択的に酸化可能なp-AlAs半導体層18が設けられ、製造工程中に、リッジ幅の側縁部に相当する半導体層の部分が酸化されて選択酸化層18Bを構成し、リッジ幅の中心に相当する部分がそのまま半導体層部分18Aとして残される。選択酸化層18Bはリッジ構造と組み合わせることにより、電流狭窄及び横モード制御を可能にする。リッジ構造の半導体レーザが、1回の成長工程で得られ、製造工程が簡素化される。リッジ構造の幅を、共振器の端面で小さく中央部で大きくすることにより、中央部の有効リッジ幅を小さくすると共に、端面近傍では電流阻止構造に形成する。これにより、レーザしきい値を低減し、小さな径の円形ビームを得ると共に、レーザのCODをも防止する。
請求項（抜粋）：
活性層の上下を該活性層のバンドギャップよりも大きなバンドギャップを有する結晶層で挟む光共振器を備えるリッジ導波路型半導体発光素子において、前記結晶層の少なくとも一方が、0.8<x≦1として、組成がAl<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>Asで与えられる1の半導体層を含み、該半導体層の一部が酸化膜層に形成されることを特徴とする半導体発光素子。
引用特許：
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