特許

J-GLOBAL ID：200903013652720587

半導体レーザおよびその製造方法

発明者： 佐々木 達也
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-138820
公開番号（公開出願番号）：特開平8-008482
出願日： 1994年06月21日
公開日（公表日）： 1996年01月12日
要約：

【要約】【目的】 高注入時にも光出力の飽和が少ない埋め込みリッジ構造半導体レーザを実現する。【構成】 n型半導体基板1上にn型ワイドギャップ層3を全面に形成した後、活性層6を含む多層構造をメサストライプ状に形成し、さらに全面にp型埋め込み層8を形成する。このとき、p型埋め込み層8に添加された不純物が成長中に拡散し、ワイドギャップ層3内にpn接合を形成することにより、電流狭窄領域のビルトイン電圧を増大させ、高バイアス時の漏れ電流を抑制する。

請求項（抜粋）：

第1の導電型を有する半導体基板上に、少なくとも第1の導電型を有する第1の半導体層、第1の導電型を有する第2の半導体層、第1の導電型を有する第3の半導体層であるクラッド層、第4の半導体層である活性層、第2の導電型を有する第5の半導体層であるクラッド層がこの順に積層され、かつ前記第3の半導体クラッド層、第4の半導体活性層、および第5の半導体クラッド層はメサストライプ構造を形成しており、さらに第2の導電型を有する第6の半導体層である埋め込み層が前記第3の半導体クラッド層、第4の半導体活性層、および第5の半導体クラッド層を覆い、かつ前記メサ構造の両脇で前記第2の半導体層に接している構造を有する半導体レーザにおいて、前記第1の半導体層が少なくとも前記第2の半導体層および前記第6の半導体層より広い禁制帯幅を有し、かつ前記第2の半導体層と前記第6の半導体埋め込み層が接している領域において、前記第2の半導体層の全部および前記第1の半導体層の一部が第2の導電型に反転して、pn接合が前記第1の半導体層内に形成されていることを特徴とする半導体レーザ。