特許

J-GLOBAL ID：200903013653893345

電力用半導体装置

発明者： 河口 宗良
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-401238
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197837
出願日： 2001年12月28日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：

【要約】【課題】 シリコンチップ等で発生した熱を迅速かつ有効に外部に放出することができるパワーモジュールを提供する。【解決手段】 パワーモジュール1aのケース2の下端部には銅ベース板3が取り付けられている。ケース2の空間部内において、銅ベース板3の上には、下面銅パターン4及び上面銅パターン5を伴ったセラミック等からなる絶縁基板6が、半田7により接合されている。上面銅パターン5の上面には、ペルチェ効果素子8aが、半田7により接合されている。ペルチェ効果素子8aの上面には、シリコンチップ9が、半田7により接合されている。パワーモジュール1aの動作時にシリコンチップ9で発生した熱は、ペルチェ効果素子8aと絶縁基板6と銅ベース板3とを介して装置外部に放出されるが、その際ペルチェ効果素子8aが順方向に通電されて温度が低下し、上記熱の放出を促進する。

請求項（抜粋）：

半導体チップで発生した熱が、順に絶縁基板と放熱用のベース板とを介して、装置外部に放出されるようになっている電力用半導体装置であって、上記半導体チップと上記絶縁基板との間に、上記半導体チップから流入する熱の一部を吸収して上記半導体チップから上記絶縁基板への熱伝達量を低減し、上記半導体チップと上記絶縁基板との間の熱膨張差を緩和する、ペルチェ効果を有する素子が介設されていることを特徴とする電力用半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 23/38 ,  H01L 23/36 ,  H01L 25/04 ,  H01L 25/18

FI (3件)：

H01L 23/38 ,  H01L 23/36 D ,  H01L 25/04 Z

Fターム (3件)：

5F036BA23 ,  5F036BA33 ,  5F036BB01