特許
J-GLOBAL ID：200903013666038860
単結晶の気相成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-162487
公開番号（公開出願番号）：特開平8-026886
出願日： 1994年07月14日
公開日（公表日）： 1996年01月30日
要約：
【要約】【目的】 単結晶の気相成長方法を改良する。【構成】 複数種類の元素からなる単結晶(例えばPbS、PbTe)を、石英製封管内で結晶成長させる単結晶の気相成長方法である。まず、長尺の封管内の長手方向に沿って、一方の側の第1の位置を単結晶の成長温度よりも高温にすると共に、他方の側の第2の位置を単結晶の成長温度よりも低温とする。第1の位置(高温位置)には、単結晶の構成材料であって成長される結晶よりも蒸気圧の高い材料(S,Te)を過剰に含む原料を配置し、第1の位置と第2の位置(低温位置)の間の位置であって単結晶の成長温度と略同一の温度となる第3の位置には、単結晶を成長させる基板もしくは種結晶を配置する。そして、低温となっている第2の位置の温度により、封管内の蒸気圧をコントロールして単結晶の成長をコントロールする。
請求項（抜粋）：
複数種類の元素からなる単結晶を、封管内で結晶成長させる単結晶の気相成長方法において、長尺の前記封管内の長手方向に沿って、一方の側の第1の位置を前記単結晶の成長温度よりも高温にすると共に、他方の側の第2の位置を前記単結晶の成長温度よりも低温とし、前記第1の位置には、前記単結晶の構成材料であって成長される結晶よりも蒸気圧の高い材料を過剰に含む原料を配置し、前記第1の位置と前記第2の位置の間の位置であって前記単結晶の成長温度と略同一の温度となる第3の位置には、前記単結晶を成長させる基板もしくは種結晶を配置することを特徴とする単結晶の気相成長方法。
IPC (5件)：
C30B 23/00
, C23C 14/00
, C30B 29/46
, C30B 29/48
, C30B 29/50
