3族窒化物半導体発光素子の基板分離方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤谷修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-271628
公開番号（公開出願番号）：特開平10-098212
出願日： 1996年09月20日
公開日（公表日）： 1998年04月14日
要約：

【要約】【課題】ダイシング時に発生するクラックの素子領域への侵入の防止【解決手段】各素子の電極7間の加工領域Eの中央に設定されたダイシングライン20に沿って、加工領域Eの幅Wよりも狭い幅のブレード40を用いてサファイア基板1の表面から15μmの深さまでダイシングし、分離溝16を形成する。この時、ブレード40の側面40aと電極形成領域Aの側壁81との間の領域Gには、第1コンタクト層63、第2コンタクト層62、p層61、発光層5及びn層4が存在する。よって、応力は電極形成領域AとL字形状に立設された側壁81との交線Bに集中することになり、ダイシング時に発生するクラックCはこの交線Bに向かって形成される。この結果、クラックCは電極形成領域A、従って、電極8の下部には侵入しない。よって、電極8に対する電流路がクラックCによって妨害されることがない。

請求項（抜粋）：

基板と、光を出力する発光層と、この発光層を挟み発光層に対して電流を供給し、基板に近い側に形成された第1の伝導形を示す第1層と基板に遠い側に形成され前記第1の伝導形と異なる第2の伝導形を示す第2層とを有し、それらの各層が3族窒化物半導体で形成された発光素子の基板分離方法において、前記第1層に対する電極形成領域が露出するように、その形成領域の前記第2層、前記発光層をエッチングして除去し、露出した前記電極形成領域において、その電極形成領域よりも狭い範囲で前記第1層に対する第1電極を形成し、前記電極形成領域の周辺部とブレードの側面との間に前記発光層と前記第2層とが存在する位置において、ダイシングすることを特徴とする3族窒化物半導体発光素子の基板分離方法。

IPC (3件)：

H01L 33/00 , H01L 21/301 , H01S 3/18

FI (4件)：

H01L 33/00 C , H01S 3/18 , H01L 21/78 V , H01L 21/78 Q

前のページに戻る