半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：内原晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-182785
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029340
出願日： 1991年07月24日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：

【要約】【目的】LDD構造のCMOSトランジスタにおけるLDD構造を形成するためのフォトリソグラフィ工程の回数を低減する。【構成】ゲートとなる領域に予じめフィールド酸化膜5を形成しておき、例えばNチャネル側では、第1のフォトレジスト膜15aのみを用いて、ソースN+ 拡散層6a,ドレインN+ 拡散層7a,チャネル領域8を形成する。

請求項（抜粋）：

選択酸化法により、半導体基板の一導電型領域の表面のゲートとなるべき領域,前記半導体基板の逆導電型領域の表面のゲートとなるべき領域,および素子分離領域にフィールド酸化膜を形成する工程と、第1のフォトレジスト膜により前記逆導電型領域を覆い、逆導電型不純物を注入して、前記一導電型領域表面に逆導電型高濃度拡散層を形成する工程と、前記一導電型領域表面における前記ゲートとなるべき領域に形成された前記フィールド酸化膜を除去し、前記ゲートとなるべき領域にイオン注入を行ない、前記一導電型領域のチャネル領域を形成する工程と、第2のフォトレジスト膜により前記一導電型領域を覆い、一導電型不純物を注入して、前記逆導電型領域表面に一導電型高濃度拡散層を形成する工程と、前記逆導電型領域表面における前記ゲートとなるべき領域に形成された前記フィールド酸化膜を除去し、前記ゲートとなるべき領域にイオン注入を行ない、前記逆導電型領域のチャネル領域を形成する工程と、前記一導電型領域のチャネル領域表面,および前記逆導電型領域のチャネル領域表面にゲート酸化膜を形成し、ゲート電極を形成する工程と、第3のフォトレジスト膜により前記逆導電型領域を覆い、逆導電型不純物を注入して、前記逆導電型高濃度拡散層と前記ゲート電極との空隙の前記一導電型領域のチャネル領域に逆導電型低濃度拡散層を形成する工程と、第4のフォトレジスト膜により前記一導電型領域を覆い、一導電型不純物を注入して、前記一導電型高濃度拡散層と前記ゲート電極との空隙の前記逆導電型領域のチャネル領域に一導電型低濃度拡散層を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/336 , H01L 29/784 , H01L 21/265 , H01L 21/283 , H01L 27/092

FI (3件)：

H01L 29/78 301 L , H01L 21/265 L , H01L 27/08 321 E

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