特許
J-GLOBAL ID：200903013676705023
IC製造のためのオキシナイトライド誘電体プロセス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡部 正夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-052372
公開番号（公開出願番号）：特開平6-302814
出願日： 1994年03月24日
公開日（公表日）： 1994年10月28日
要約：
【要約】【目的】 本発明はMOS集積回路の作成方法を提供する。【構成】 MOSデバイス用ゲート誘電体の作製方法は、最初にシリコン・オキシナイトライド層を形成する工程、次にオキシナイトライド層の下に二酸化シリコン層を形成する工程を含む。オキシナイトライド層は、シリコン基板の酸化領域への酸素の拡散を制御する薄膜の役割をする。
請求項（抜粋）：
a)主表面に隣接して、誘電体層を形成する工程;b)誘電体層上にゲート電極層を堆積させる工程を含む主表面を有するシリコン基板上への少くとも1個のMOSデバイスの作製方法において、c)シリコン・オキシナイトライド層の形成及びd)(c)の後、酸素を含む化学種が、オキシナイトライド層を貫いて、基板の表面まで移動し、そこで反応し、シリコン・オキシナイトライド層に隣接して、その下に層を生じ、前記下部層は二酸化シリコンを含む方法。
IPC (3件)：
H01L 29/784
, H01L 21/316
, H01L 21/318
