特許
J-GLOBAL ID：200903013677677694
半田めっきリードおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-339012
公開番号（公開出願番号）：特開平10-158886
出願日： 1996年12月04日
公開日（公表日）： 1998年06月16日
要約：
【要約】【課題】 高温に曝されても膨れが生じず、また半田濡れ性に優れる半田めっきリードを提供する。【解決手段】 リード素材上にSnを 95wt%以上、100wt%未満含む高Sn半田めっき層が 0.1〜1μmの厚さに形成され、その上にSnを 95wt%未満含む低Sn半田めっき層が形成された半田めっきリード。【効果】 リード素材上にSn濃度が 95wt%以上の高Sn半田めっき層が形成されているので、Pbの濃化層が形成されず、バーンイン試験などの加熱時にも半田めっき層に膨れが生じない。また前記高Sn半田めっき層の上にSn濃度が 95wt%未満の低Sn半田めっき層が形成されているので、半田濡れ性に優れ半田付けが良好になされる。
請求項（抜粋）：
リード素材上にSnの濃度が 95wt%以上、100wt%未満の高Sn半田めっき層が 0.1〜1μmの厚さに形成され、その上にSnの濃度が 95wt%未満の低Sn半田めっき層が形成されていることを特徴とする半田めっきリード。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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