特許
J-GLOBAL ID：200903013683086444
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松村 博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-002174
公開番号（公開出願番号）：特開平10-200392
出願日： 1997年01月09日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：
【要約】【課題】 低電源電圧動作をする半導体回路であって、論理回路が高速で安定な動作をし、かつ待機時の消費電力を小さくする。【解決手段】 スイッチングトランジスタST1のゲート電圧を上げることでトランジスタの電流駆動能力を上げる。このため、第1の電源VDDとこの電源の電圧より低電圧の第2の電源VSSVに論理回路を接続し、ドレインを第2の電源に、ソースを第3の電源VSSにそれぞれ接続しNチャネルスイッチングトランジスタST1のゲートに対し、前記第1の電源VDDの電圧を昇圧回路で昇圧した電圧により制御信号CNTをレベルシフタ回路で昇圧して印加する。
請求項（抜粋）：
第1の電源(VDD)とこの第1の電源の電圧より低い電圧の第2の電源(VSSV)に接続された論理回路と、ドレインを前記第2の電源に、ソースを第3の電源(VSS)にそれぞれ接続されたNチャネルスイッチングトランジスタ(ST1)と、前記第1の電源(VDD)の電圧を昇圧する昇圧回路と、この昇圧回路の出力電圧により信号レベルの変換を行うレベルシフタ回路とを備え、前記Nチャネルスイッチングトランジスタのゲートを制御する制御信号(CNT)を前記レベルシフタ回路により昇圧することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H03K 19/00 A
, H03K 19/01
