特許
J-GLOBAL ID：200903013686062023
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大菅 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-057237
公開番号（公開出願番号）：特開2004-266213
出願日： 2003年03月04日
公開日（公表日）： 2004年09月24日
要約：
【課題】放熱効果があり、寄生インダクタンスを低減することが可能な半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】金属ベース11と、絶縁層12と、金属ベース11の上方に絶縁層12を介して設けられるメタルコア層13と、更にメタルコア層13の上方に絶縁層12を介して設けられるメタルコア層14と、メタルコア層14の上方に絶縁層12を介して設けられる回路パターン15と、回路パターン15の上方に設けられるパワー半導体素子16と、絶縁層12を貫通させ、回路パターン15とメタルコア層13又は14とを導通させる金属支柱20とを備え、メタルコア層13及び14の互いの電流の流れる方向を反対方向となるように構成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に半導体回路が設けられる半導体装置であって、
前記基板と前記半導体回路との間に設けられ、前記半導体回路に入力される電流、又は前記半導体回路から出力される電流が流れる第1のメタルコア層と、
前記基板と前記半導体回路との間に設けられ、前記第1のメタルコア層に流れる電流の方向と反対方向に、前記半導体回路に入力される電流、又は前記半導体回路から出力される電流が流れる第2のメタルコア層と、
前記半導体回路の層、前記基板の層、前記第1のメタルコア層、及び前記第2のメタルコア層、各層間に配置される絶縁層と、
前記絶縁層を貫通して、前記半導体回路と前記第1のメタルコア層とを導通させる第1の導通部と、
前記絶縁層を貫通して、前記半導体回路と前記第2のメタルコア層とを導通させる第2の導通部と、
を備え、前記第1のメタルコア層と前記第2のメタルコア層は絶縁されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
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