特許

J-GLOBAL ID：200903013689041272

半導体基板搭載型二次電池

発明者： 田中 浩治
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 加藤 朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-102625
公開番号（公開出願番号）：特開平10-284130
出願日： 1997年04月04日
公開日（公表日）： 1998年10月23日
要約：

【要約】【課題】小型・軽量化を達成するリチウム二次電池の提供。【解決手段】正極4および負極2および固体電解質3および配線電極5a、5bをスパッタリング法などで薄膜化する。その際、それぞれの膜厚は200〜300nmで成膜する。この方法で、シリコン基板上の厚さが約1.2ミクロンの非常に薄い電池を作成できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、薄膜化した電極と固体電解質とを有することを特徴とする半導体基板搭載型の二次電池。

IPC (4件)：

H01M 10/40 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01M 4/02

FI (5件)：

H01M 10/40 Z ,  H01M 4/02 C ,  H01M 4/02 D ,  H01L 27/04 F ,  H01L 27/04 D

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭59-031570
  
• 特開昭59-226472
  
• 特公平7-050617