特許

J-GLOBAL ID：200903013691272303

半導体装置の製造方法

発明者： 谷上 依子
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-282140
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090120
出願日： 1991年09月30日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：

【要約】【目的】 アライメント精度を向上することができる半導体装置の製造方法を得る。【構成】 ウエハ上に同一形状のパターンを同一ピッチで十字状に配置してアライメントマーカを形成し、マスク上にウエハ上のパターンと相似形で寸法が大きいパターンをウエハ上のピッチより大きいピッチで十字状に配置してアライメントマーカを形成する。

請求項（抜粋）：

第1のアライメントマーカを有するウエハと、第2のアライメントマーカを有するマスクとを両アライメントマーカの重ねあわせ位置を観察しながらアライメントするアライメント工程を含む半導体装置の製造方法において、上記第1のアライメントマーカが特定形状のパターンを一定ピッチに十字状に配置した複数のパターンから構成され、上記第2のアライメントマーカが上記特定形状のパターンと相似形で大きい寸法を有するパターンを上記ピッチより大きいピッチに十字状に配置した複数のパターンから構成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。