特許

J-GLOBAL ID：200903013701436660

誘電体結晶膜の製造方法

発明者： 河野 孝史 ,  長尾 圭吾 ,  橋本 和生 ,  木村 隆幸
出願人/特許権者： 宇部興産株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-305315
公開番号（公開出願番号）：特開平8-133737
出願日： 1994年11月04日
公開日（公表日）： 1996年05月28日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 優れた配向性の誘電体結晶膜を提供する。【構成】 水熱合成により基板上に(Pb<SB>1-x</SB>La<SB>x</SB>)(Zr<SB>y</SB>Ti<SB>1-y</SB>)<SB>1-x</SB>O<SB>3</SB>(ただし、0≦x<1、0≦y≦1である。)からなる誘電体結晶膜を形成する方法において、Pb含有原料化合物が50mmol/l〜500mmol/l、La含有原料化合物が5mmol/l〜100mmol/l、Zr含有原料化合物が20mmol/l〜500mmol/lおよびTi含有原料化合物が0.002mmol/l〜5mmol/lの条件で結晶核を形成する第1工程、およびPb含有原料化合物が50mmol/l〜500mmol/l、La含有原料化合物が5mmol/l〜100mmol/l、Zr含有原料化合物が10mmol/l〜500mmol/lおよびTi含有原料化合物が5mmol/l〜400mmol/lの条件で結晶成長させる第2工程からなる配向性の誘電体結晶膜の製造方法に関する。

請求項（抜粋）：

水熱合成により基板上に(Pb<SB>1-x</SB>La<SB>x</SB>)(Zr<SB>y</SB>Ti<SB>1-y</SB>)<SB>1-x</SB>O<SB>3</SB>(ただし、0≦x<1、0≦y≦1である。)からなる誘電体結晶膜を形成する方法において、Pb含有原料化合物が50mmol/l〜500mmol/l、La含有原料化合物が5mmol/l〜100mmol/l、Zr含有原料化合物が20mmol/l〜500mmol/lおよびTi含有原料化合物が0.002mmol/l〜5mmol/lの条件で結晶核を形成する第1工程、およびPb含有原料化合物が50mmol/l〜500mmol/l、La含有原料化合物が5mmol/l〜100mmol/l、Zr含有原料化合物が10mmol/l〜500mmol/lおよびTi含有原料化合物が5mmol/l〜400mmol/lの条件で結晶成長させる第2工程からなることを特徴とする配向性の誘電体結晶膜の製造方法。

IPC (5件)：

C01G 25/00 ,  C30B 7/10 ,  C30B 29/22 ,  H01B 3/12 301 ,  H01L 41/24