特許
J-GLOBAL ID：200903013703197752
化合物半導体結晶の気相エピタキシャル成長方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-234908
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094422
出願日： 1993年09月21日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：
【要約】【目的】高濃度炭素ドープp型GaAs層を成長する際に、成長速度を変化させることなく炭素濃度を独立に制御できるようにする。【構成】気相エピタキシャル法により、III 族原料ガス及びV族原料ガスを供給して熱分解反応で結晶成長用基板上にGaAs化合物半導体をエピタキシャル成長させる。III 族原料にTEG、V族原料にTMAsやTEAs等の有機金属化合物、炭素のドーパントとしてTMGをそれぞれ用いる。成長温度及び成長圧力条件として、TEGとV族原料を用いたGaAs成長が輸送律速であること、TMGと上記V族原料を用いたGaAs成長においてキャリア濃度が少なくとも1×1020cm-3以上となること、TMGとV族原料を用いたGaAsの成長速度がIII 族輸送律速時の成長速度に比べ1/10以下となることが要件である。具体的には成長温度が350°C〜475°C、圧力が13.3×103 Pa以下である。
請求項（抜粋）：
反応管内に設置した結晶成長用基板を加熱し、反応管にIII 族原料ガス及びV族原料ガスを供給して、結晶成長用基板上にIII -V族化合物半導体結晶をエピタキシャル成長させる化合物半導体結晶の気相エピタキシャル成長方法において、炭素をドーピングしてp型III -V族化合物半導体結晶層を成長する際に、III 族原料にトリエチルガリウム(TEG)等の炭素数が少なくとも2以上のアルキル基及びアリール基がついたGa系有機金属化合物を用い、V族原料にトリメチル砒素(TMAs)やトリエチル砒素(TEAs)等のアルキル基及びアリール基がついたAs系有機金属化合物またはアルシン等のAs水素化物を用い、炭素原料としてトリメチルガリウム(TMG)を用い、前記TMGの流量を調節することにより炭素のドーピング濃度を制御することを特徴とする化合物半導体結晶の気相エピタキシャル成長方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C30B 25/02
, C30B 29/40 502
