特許

J-GLOBAL ID：200903013706904417

フォトマスクの作製方法

発明者： 山口 真司 ,  金井 秀樹
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-241357
公開番号（公開出願番号）：特開2000-075469
出願日： 1998年08月27日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：

【要約】【課題】透光部の透過率の低下のないフォトマスクの作製方法を提供する。【解決手段】透明基板11上に遮光膜(マスク材)12、レジスト膜13を積層形成し、そのレジスト膜13をパターニングしてレジストパターン13aを形成した段階で、そのレジストパターン13aの白欠陥A及び黒欠陥Bの有無を検査し、欠陥がある場合、その欠陥部分を修正した後、その修正後のレジストパターン13aをマスクに遮光膜12をパターニングし遮光膜パターン12aを形成する。このため、修正個所の周辺の透光部分にカーボン膜の付着、ダメージ等がなく、高精度のフォトマスクが得られる。

請求項（抜粋）：

透明基板上にマスク材を形成する工程と、前記マスク材上にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜に描画、現像し、レジストパターンを形成する工程と、次に前記レジストパターンの欠陥を検査する工程と、この検査工程において欠陥を発見した場合、前記レジストパターンの欠陥を修正す工程と、この欠陥修正工程後、前記レジストパターンをマスクに前記マスク材をエッチングしてマスクパターンを形成する工程とを具備することを特徴とするフォトマスクの作製方法。

IPC (2件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

G03F 1/08 V ,  G03F 1/08 A ,  G03F 1/08 S ,  G03F 1/08 W ,  H01L 21/30 502 W

Fターム (7件)：

2H095BB16 ,  2H095BC05 ,  2H095BC28 ,  2H095BD04 ,  2H095BD32 ,  2H095BD33 ,  2H095BD35