特許
J-GLOBAL ID:200903013709673289

ラビング処理方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 西教 圭一郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-072403
公開番号(公開出願番号):特開平6-289378
出願日: 1993年03月30日
公開日(公表日): 1994年10月18日
要約:
【要約】【目的】 ラビング処理時の処理ムラを低減する。【構成】 基板21上には透明電極22が全面に形成され、電極22上にはトップコート膜23と配向膜24とがこの順に形成される。前記配向膜24は、下層のトップコート膜23領域よりも大きく形成される。配向膜24の表面はローラによって一方向にラビング処理される。
請求項(抜粋):
基板上に膜を2枚以上形成して最上層の膜表面をラビングするラビング処理方法において、前記最上層の膜は、その下層の膜領域よりも大きく形成されていることを特徴とするラビング処理方法。
IPC (2件):
G02F 1/1333 505 ,  G02F 1/1337
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 特開昭57-044125
  • 特開昭62-269932
  • 特開平4-114128

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