特許

J-GLOBAL ID：200903013714961284

プラズマ処理装置

発明者： 中原 武彦 ,  平松 健司 ,  澤井 久晴
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-078466
公開番号（公開出願番号）：特開2001-267299
出願日： 2000年03月21日
公開日（公表日）： 2001年09月28日
要約：

【要約】【課題】 プラズマ電位の変動が抑えられるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 マイクロ波プラズマエッチング装置のエッチング処理室4に、ウェハ10を載置するための試料台9が設置されている。その試料台9には高周波電源12が接続されている。試料台9を周方向から取囲むようにアース電極14が設けられている。そのアース電極14はアルミニウム合金母材とこれを被覆するアルマイト層からなり、あらかじめ所定箇所のアルミニウム合金母材の表面を露出させている。

請求項（抜粋）：

反応室内にてウェハに高周波を印加することによってプラズマを発生させて、前記ウェハにプラズマ処理を施すためのプラズマ処理装置であって、前記ウェハが載置され、高周波が印加される一方側電極部と、接地電位に固定され、導電体部および該導電体部を被覆する絶縁膜を含む他方側電極部とを備え、前記他方側電極部では、前記導電体部が前記絶縁膜ですべて覆われていた場合にウェハの処理を重ねるにしたがい前記絶縁膜が剥がれてくる箇所を、あらかじめ絶縁膜を被覆せずに前記導電体部を露出させている、プラズマ処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  C23C 16/509 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

C23C 16/509 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 B

Fターム (18件)：

4K030CA12 ,  4K030DA04 ,  4K030FA03 ,  4K030KA15 ,  4K030KA16 ,  4K030KA47 ,  5F004AA16 ,  5F004BA14 ,  5F004BB29 ,  5F004BB32 ,  5F004BD04 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F045AA08 ,  5F045EH04 ,  5F045EH06 ,  5F045EH08 ,  5F045EH19