特許

J-GLOBAL ID：200903013729963739

薄膜作成方法

発明者： 明田川 賢一 ,  酒井 純朗 ,  辰巳 徹
出願人/特許権者： 日電アネルバ株式会社 ,  日本電気株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 正次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-268924
公開番号（公開出願番号）：特開平5-032485
出願日： 1991年09月20日
公開日（公表日）： 1993年02月09日
要約：

【要約】【目的】 少なくとも二種の材質で表面が構成された基板を真空容器内に収容し、少なくとも二種の材質の一つの材質に対して付着係数が低い分子を含む反応ガスを真空容器内へ供給して、基板の他の材質の表面に選択成長を行わせる薄膜作製方法である。【構成】 反応ガスを供給した真空容器内の圧力を、反応ガスの分子の平均自由行程(d)が、真空容器内の基板と真空容器の真空側露出壁との間の最短距離(L)よりも長くなる(d>L)圧力領域に設定する。真空容器内へ供給した反応ガスの総量が、該反応ガスに対して付着係数が低い材質の表面で、薄膜を発生するだけの量に達するまでに、反応ガスの供給を停止する。換言すれば、基板に衝突する反応ガス分子の総量が、付着係数の低い材質の表面で、薄膜を発生するだけの量に達するまでに、供給を停止する。

請求項（抜粋）：

少なくとも2種の材質で表面が構成された基板上に、少なくとも1種の材質の表面上のみで薄膜を作成する方法において、(1) 基板を真空容器内に収容し、真空容器内を真空排気し所定の圧力に達した後、真空容器内に反応ガスを導入し、(2) 反応ガスを供給した真空容器内の圧力を、反応ガスの分子の平均自由行程(d)が、真空容器内の基板と真空容器の真空側露出壁との間の最短距離(L)よりも長くなる(d>L)圧力領域に設定し、(3) 基板表面を構成した少なくとも2種の材質の一方の材質上のみで薄膜を成長させ、真空容器内に導入された反応ガスの供給総量が、他方の材質上で薄膜が発生するだけの量に達するまでに、反応ガスの真空容器内への導入を停止することを特徴とする薄膜作成方法。

IPC (6件)：

C30B 25/14 ,  C23C 16/44 ,  C30B 25/04 ,  C30B 25/16 ,  C30B 25/18 ,  H01L 21/205