特許

J-GLOBAL ID：200903013734059170

半導体装置

発明者： 氷沢 和也 ,  松橋 秀明
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-054000
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263574
出願日： 1994年03月24日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：

【要約】【目的】 誘電体膜として酸化タンタル膜を用いる場合において、リーク電流の発生を抑さえることのできる半導体装置の構造及びその製造方法を提供する。【構成】 シリコン基板21上に酸化シリコン膜22、この一部分上に下部電極としてのポリシリコン膜23aが形成され、このポリシリコン膜23aを覆うように窒化シリコン膜24、酸化タンタル膜25、酸化モリブデン膜26、上部電極としてのモリブデン膜27が順次形成された構造となっている。

請求項（抜粋）：

基体と、前記基体上に形成された酸化タンタルと、前記酸化タンタル上に形成された酸化モリブデンと、前記酸化モリブデン上に形成されたモリブデンまたは窒化モリブデンと、を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/8242 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 27/10 325 J ,  H01L 27/04 C ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 Y