特許
J-GLOBAL ID：200903013737986799
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-280042
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121631
出願日： 1997年10月14日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：
【要約】【課題】高耐圧MOSトランジスタと抵抗体を有する半導体集積回路において、抵抗体の抵抗値のばらつきおよび温度依存性を小さくし、且つ、抵抗体形成のための専用フォトマスクを不要にする。【解決手段】n形基板1に選択酸化膜2、ゲート酸化膜3およびゲート電極4を形成し、その後、同一のフォトマスクを用いてボロン不純物をイオン注入し、オフセット領域5と拡散抵抗領域7を同時に形成する。
請求項（抜粋）：
少なくともMOS型電界効果トランジスタと抵抗体とを有する半導体集積回路(MOS-IC)が形成された半導体装置において、高耐圧のMOS型電界効果トランジスタを形成するための低濃度拡散領域であるオフセット領域と抵抗体となる拡散抵抗領域とがボロン不純物で形成され、該ボロン不純物の表面濃度および拡散深さが前記オフセット領域と前記拡散抵抗領域とで同一であることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/8234
, H01L 27/06
