特許
J-GLOBAL ID:200903013741317257

低反射帯電防止膜及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 泉名 謙治
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-267162
公開番号(公開出願番号):特開平5-070176
出願日: 1991年09月18日
公開日(公表日): 1993年03月23日
要約:
【要約】【構成】導電性酸化チタンを含む液に、Ti(C5H7O2)n(OR)m(但し、n+m=4、m=0〜3、n=1〜4、R=C1 〜C4 のアルキル基)を含む液を混合した液を基体上に塗布した後加熱し高屈折率帯電防止膜を形成する。次いで、この膜上に、Si(OR)mRn(n+m=4、m=1〜4、n=0〜3、R=C1 〜C4 のアルキル基)のモノマーや重合体を含む液を塗布した後加熱して低屈折率膜を形成し、全体として低反射帯電防止膜を製造する。【効果】高耐久性を有する低反射帯電防止膜を生産性よく製造できる。
請求項(抜粋):
基体表面に導電性チタンを含む被膜を形成し、更にこの上に当該被膜よりも低屈折率膜を形成してなることを特徴とする低反射帯電防止膜。
IPC (2件):
C03C 17/23 ,  C03C 17/34

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