特許

J-GLOBAL ID：200903013741725495

未処理セラミック複合層

発明者： ローデリック・ヒューブレヒト・ヘッペナー
出願人/特許権者： デーエスエム・ナムローゼ・フェンノートシャップ
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-164653
公開番号（公開出願番号）：特開平5-190043
出願日： 1992年06月23日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：

【要約】【目的】 極薄セラミックフィルムを基層として用い、仕上層をテープキャスティング法によって形成した高強度の極薄セラミック複合層、その製造方法、およびそれを用いた多層電子部品を提供する。【構成】 未処理セラミックフィルムからなる基層2、その上に設けられた電極3、および少なくとも電極3の間の間隙5を充填する仕上層4からなり、未処理セラミックフィルムが自立性である多層電子部品の製造に適した未処理セラミック複合層1と、このようなセラミック複合層の製造方法、およびこのようなセラミック複合層によって製造された多層電子部品。

請求項（抜粋）：

未処理セラミックフィルムからなる基層上に電極を設け、少なくとも該電極間の間隙を充填するセラミック仕上層を形成することからなり、該セラミックフィルムが自立性であり、その厚さが40μm以下で、少なくとも45容量%のセラミック材料からなり、懸濁した該セラミック材料と結合剤との熱可逆的ゲル化溶液から調製すること、および、該仕上層をテープキャスティング法によって形成することを特徴とする未処理セラミック複合層の製造方法。

IPC (4件)：

H01B 17/60 ,  C04B 35/00 ,  H01B 3/00 ,  H01G 4/12 352

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭56-110220
  
• 特開昭56-110220