半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-011098
公開番号（公開出願番号）：特開2002-217386
出願日： 2001年01月19日
公開日（公表日）： 2002年08月02日
要約：

【要約】【課題】支柱状またはクラウン状の容量素子の下部電極を構成する白金族金属膜の剥がれを防いで、半導体装置の製造歩留まりを向上させる。【解決手段】酸化シリコン膜37に形成した溝38の内部に下部電極41を構成するRu膜40を堆積する際、溝38の側壁にあらかじめ第1酸化タンタル膜39を形成することによって、Ru膜40と下地(酸化シリコン膜37)との接着強度を向上させる。

請求項（抜粋）：

(a)基板の主面上に第1絶縁膜を形成した後、前記第1絶縁膜に溝を形成する工程と、(b)前記溝の側壁に接着層を形成する工程と、(c)前記接着層の上層に第1金属膜を形成した後、前記溝の外部の前記第1金属膜を除去することによって、前記溝の内部に支柱状の前記第1金属膜からなる容量素子の第1電極を形成する工程と、(d)前記第1電極の上面に第2絶縁膜を形成した後、前記第1絶縁膜を除去する工程と、(e)前記第2絶縁膜の上層に誘電体膜を形成し、前記第1電極の側壁に前記接着層および前記誘電体膜からなる前記容量素子の誘電体材料を形成する工程と、(f)前記誘電体膜の上層に第2金属膜からなる前記容量素子の第2電極を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (2件)：

H01L 27/10 621 B , H01L 27/10 621 C

Fターム (23件)：

5F083AD24 , 5F083AD42 , 5F083AD48 , 5F083AD49 , 5F083GA30 , 5F083JA06 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA56 , 5F083MA05 , 5F083MA06 , 5F083MA16 , 5F083MA17 , 5F083NA01 , 5F083PR12 , 5F083PR21 , 5F083PR33 , 5F083PR34 , 5F083PR39 , 5F083PR40

前のページに戻る