半導体装置用リードフレーム

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：綿貫隆夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-015538
公開番号（公開出願番号）：特開平6-232311
出願日： 1993年02月02日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：

【要約】【目的】熱工程を経てもはんだ付け性が損なわれない。【構成】ほう素、リン、ひ素、セレン、テルル、アンチモンから選ばれる1種以上の元素を含むパラジウムめっき被膜が少なくともアウターリードに形成されていることを特徴としている。

請求項（抜粋）：

ほう素、リン、ひ素、セレン、テルル、アンチモンから選ばれる1種以上の元素を含むパラジウムめっき被膜が少なくともアウターリードに形成されていることを特徴とする半導体装置用リードフレーム。

IPC (3件)：

H01L 23/50 , C25D 7/12 , C25D 3/50 102

引用特許：

審査官引用 (11件)

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