特許
J-GLOBAL ID：200903013755974226
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-282403
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112219
出願日： 1992年09月28日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：
【要約】【目的】 ゲート電極の側面にポリシリコンのサイドウォールをもつMOSトランジスタにおいて、ゲートとソース・ドレインの短絡を防ぐ。【構成】 ゲートポリシリコン5の側面にポリシリコンのサイドウォール8をもつMOSトランジスタにおいて、ポリシリコンのサイドウォール8の側面に酸化膜のサイドウォール10を設ける。これにより、ゲートポリシリコン5上のチタンシリサイド9とソースメドレイン7上のチタンシリサイド9を十分に隔離することができるためにゲートとソース・ドレインの短絡を防ぐ。
請求項（抜粋）：
一導電型の半導体基板の一主面上にゲート酸化膜を介して設けられた第1の多結晶シリコンと、前記第1の多結晶シリコン上に設けられた第1の酸化膜と、前記第1の酸化膜上に設けられた第2の多結晶シリコンと、前記第2の多結晶シリコンの側面に設けられた第3の多結晶シリコンと、前記第3の多結晶シリコンの側面に設けられた第2の酸化膜と、前記第3の多結晶シリコン下の前記半導体基板上に設けられた低濃度で浅い第1の逆導電型不純物拡散領域と、前記第1の逆導電型不純物拡散領域に隣接して設けられた高濃度で深い第2の逆導電型不純物拡散領域と、前記第2の多結晶シリコン上と前記第2の逆導電型不純物拡散領域上に設けられた金属シリサイドとを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
, H01L 21/28 301
H01L 29/78 301 L
, H01L 29/78 301 P
