制御された欠陥分布をもつシリコンウェーハ、その製造方法及び単結晶シリコンインゴットを製造するためのチョクラルスキープーラ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志賀正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-344053
公開番号（公開出願番号）：特開2001-203210
出願日： 2000年11月10日
公開日（公表日）： 2001年07月27日
要約：

【要約】【課題】ウェーハの表面近傍にデヌードゾーンが十分確保されていると共に、ウェーハのバルク領域内で十分なゲッタリング効果が得られるように制御された欠陥分布をもつシリコンウェーハを提供する。【解決手段】本発明によるシリコンウェーハは、半導体素子のアクティブ領域が形成されるシリコンウェーハの前面から背面までの酸素析出物の濃度プロファイルが、前面及び背面から所定深さで各々第1ピーク及び第2ピークを示し、前記前面及び背面から各々第1ピーク及び第2ピークに達する前にデヌードゾーンが形成され、前記第1ピーク及び第2ピーク間のバルク領域で酸素析出物の濃度プロファイルが凹状であることを特徴とする制御された酸素析出物分布をもつ。

請求項（抜粋）：

半導体素子のアクティブ領域が形成されるシリコンウェーハの前面から背面までの酸素析出物の濃度プロファイルが、前面及び背面から所定深さで各々第1ピーク及び第2ピークを示し、前記前面及び背面から各々第1ピーク及び第2ピークに達する前にデヌードゾーンが形成され、前記第1ピーク及び第2ピーク間のバルク領域で酸素析出物の濃度プロファイルが凹状であることを特徴とする制御された酸素析出物分布をもつシリコンウェーハ。

IPC (3件)：

H01L 21/322 , C30B 29/06 502 , H01L 21/208

FI (3件)：

H01L 21/322 Y , C30B 29/06 502 J , H01L 21/208 P

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平1-242500
特表平6-504878
特開平1-242500

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