化学増幅ポジ型レジスト材料

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小島隆司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-104590
公開番号（公開出願番号）：特開平9-274320
出願日： 1996年04月02日
公開日（公表日）： 1997年10月21日
要約：

【要約】 (修正有)【解決手段】 (A)有機溶剤、(B)ベース樹脂として式(1)で示される重量平均分子量が3,000〜300,000である高分子化合物、(C)酸発生剤、(D)分子内にビニルエーテル基を2つ以上有する化合物を含有してなる化学増幅ポジ型レジスト材料。【効果】化学増幅ポジ型レジスト材料として高エネルギー線、特にKrFエキシマレーザー及びX線に感応し、感度、解像性、プラズマエッチング耐性に優れ、しかもレジストパターンの耐熱性にも優れている。

請求項（抜粋）：

(A)有機溶剤(B)ベース樹脂として下記一般式(1)で示される重量平均分子量が3,000〜300,000である高分子化合物【化1】【化2】(C)酸発生剤(D)分子内にビニルエーテル基を2つ以上有する化合物を含有してなることを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料。

IPC (6件)：

G03F 7/039 501 , G03F 7/004 501 , G03F 7/004 503 , G03F 7/029 , G03F 7/033 , H01L 21/027

FI (6件)：

G03F 7/039 501 , G03F 7/004 501 , G03F 7/004 503 , G03F 7/029 , G03F 7/033 , H01L 21/30 502 R

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