特許

J-GLOBAL ID：200903013765229898

光半導体装置

発明者： 青木 豊 ,  谷川 聡
出願人/特許権者： 日東電工株式会社
代理人 (1件)： 西藤 征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-360709
公開番号（公開出願番号）：特開平5-183075
出願日： 1991年12月27日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：

【要約】【目的】 内部応力が小さく、しかも低応力性に優れた光半導体装置を提供する。【構成】 下記の(A)〜(C)成分を含み、(C)成分であるシリカ系粒子と、(A)および(B)成分を主体とするエポキシ樹脂硬化体の屈折率との差が±0.01の範囲に設定されているエポキシ樹脂組成物を用いて光半導体素子を封止する。(A)透明性エポキシ樹脂。(B)硬化剤。(C)表面が平滑なシリカ系粒子。

請求項（抜粋）：

下記の(A)〜(C)成分を含み、(C)成分であるシリカ系粒子と、(A)および(B)成分を主体とするエポキシ樹脂硬化体の屈折率との差が±0.01の範囲に設定されているエポキシ樹脂組成物を用いて光半導体素子を封止してなる光半導体装置。(A)透明性エポキシ樹脂。(B)硬化剤。(C)表面が平滑なシリカ系粒子。

IPC (3件)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01L 23/30 F ,  H01L 23/30 R

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭49-023847
  
• 特開昭63-014457
  
• 特開昭62-081072
  
• 特開昭62-108583