特許

J-GLOBAL ID：200903013770638178

プラズマ処理方法とその装置

発明者： 小林 浩秋 ,  寺井 藤雄
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-155869
公開番号（公開出願番号）：特開2003-347282
出願日： 2002年05月29日
公開日（公表日）： 2003年12月05日
要約：

【要約】【課題】 誘電体窓から被処理物への放射エネルギ量を削減することにより、被処理物の温度上昇を抑制することのできるプラズマ処理方法とその装置を提供すること。【解決手段】 プラズマ処理装置の誘電体窓3の被処理物への対向面の形状を、被処理物5の側へ凸形状に形成する。

請求項（抜粋）：

一部に誘電体窓が形成されたチャンバの内部に前記誘電体窓と対向して被処理物を載置し、誘導電磁界を前記誘電体窓を介して前記チャンバの内部に導入して供給したプラズマガスをプラズマ化し、前記被処理物に対して所定の処理を施すプラズマ処理方法において、前記誘導電磁界を導入する際に前記誘電体窓からの放射熱を低減している事を特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  C23C 14/34 ,  C23C 16/507

FI (3件)：

C23C 14/34 T ,  C23C 16/507 ,  H01L 21/302 101 C

Fターム (17件)：

4K029BD01 ,  4K029DC28 ,  4K029DC35 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA04 ,  4K030KA15 ,  4K030KA30 ,  4K030KA46 ,  4K030LA18 ,  5F004BA20 ,  5F004BD04 ,  5F004BD05 ,  5F004DA26 ,  5F004DB08 ,  5F004DB23 ,  5F004EB03