特許
J-GLOBAL ID：200903013772272871
半導体ウェハの熱処理装置および熱処理方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
根本 進
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-058536
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242155
出願日： 1997年02月25日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：
【要約】【課題】 処理対象物を酸化や汚染を生じることなく強制冷却でき、大口径の半導体ウェハの処理対象物の冷却時間を短縮し、スループットを向上でき、熱エネルギーを有効利用できる半導体ウェハの熱処理装置を提供する。【解決手段】 それぞれ互いに離れた処理位置に配置される複数のプロセス管13a、13b内において半導体ウェハが保持される。少なくとも一つの炉体17と、少なくとも一つの冷却体18とを、各プロセス管13a、13bを覆う位置と、そのプロセス管13a、13bを覆うことのない位置とに、搬送機構19により個別に搬送できる。その炉体17に覆われるプロセス管13a、13b内の半導体ウェハを加熱できるように、その炉体17に加熱手段が設けられる。その冷却体18に覆われるプロセス管13a、13b内の半導体ウェハを強制冷却できるように、その冷却体18に冷却手段が設けられる。
請求項（抜粋）：
少なくとも一つの炉体と、少なくとも一つの冷却体と、それぞれ互いに離れた処理位置に配置される複数のプロセス管と、各プロセス管内において半導体ウェハを保持する手段と、その炉体と冷却体を、各プロセス管を覆う位置と、そのプロセス管を覆うことのない位置とに、個別に搬送可能な搬送機構と、その炉体に覆われるプロセス管内の半導体ウェハを加熱できるように、その炉体に設けられる加熱手段と、その冷却体に覆われるプロセス管内の半導体ウェハを強制冷却できるように、その冷却体に設けられる冷却手段とを備える半導体ウェハの熱処理装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/324 W
, H01L 21/31 E
