特許

J-GLOBAL ID：200903013773972869

強誘電体結晶薄膜被覆基板、その製造方法及び強誘電体結晶薄膜被覆基板を用いた強誘電体薄膜デバイス

発明者： 佐藤 咲子 ,  松永 宏典 ,  中西 健司 ,  増田 義行 ,  木場 正義
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-350258
公開番号（公開出願番号）：特開平7-202295
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：

【要約】【構成】 半導体単結晶基板の上に形成された電極上に、バッファ層を介してBi4 Ti3 O12からなる酸化物強誘電体結晶薄膜が形成されている強誘電体結晶薄膜被覆基板。【効果】 酸化物強誘電体結晶薄膜の単層では得られなかった、緻密かつ滑らかな酸化物強誘電体結晶薄膜を得ることができる。つまり、異方性の強い層状ペロブスカイト構造を持つ酸化物強誘電体結晶薄膜に対して、等方性のパイロクロア構造を持つ酸化物結晶薄膜をバッファ層として用いると、その上に形成される酸化物強誘電体結晶薄膜の結晶粒を微小化することができ、表面平滑化が可能となる。

請求項（抜粋）：

半導体単結晶基板の上に形成された電極上に、バッファ層を介してBi4 Ti3 O12からなる酸化物強誘電体結晶薄膜が形成されていることを特徴とする強誘電体結晶薄膜被覆基板。

IPC (5件)：

H01L 49/02 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 41/18

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 41/18 101 Z