特許
J-GLOBAL ID：200903013778437538
電界放射型電極の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石田 長七 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-172889
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021002
出願日： 1991年07月15日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：
【要約】【目的】一次形成されたエミッタチップの形状やエミッタチップとゲート層間の距離を適正に修正することができる電界放射型電極の製造方法を提供するにある。【構成】一次形成された金属モリブデンからなるエミッタチップ1及びゲート層3の表面を530乃至630°C程度で加熱して酸化させ、表面にMoO3 の酸化膜7を形成する。この形成された酸化膜7をNH3 水によって溶かして除去することにより、エミッタチップ1の先端形状の修正や、ゲート層4間の距離の修正を行う。
請求項（抜粋）：
エミッタチップと、エミッタチップの先端部を露出させる放射孔を有するとともにエミッタチップに対して絶縁された形で配置されたゲート層とが真空中に配設された電極部を有し、エミッタチップをゲート層に対して負極としてショットキー効果が生じる程度の電圧を印加することにより、エミッタチップから放射孔を通して電子線を放射する電界放射型電極において、金属性材料で形成されたエミッタチップ及びゲート層表面に酸化膜を形成し、この酸化膜を除去することによりエミッタチップの形状の修正、エミッタチップとゲート層間距離の調整を行うことを特徴とする電界放射型電極の製造方法。
引用特許：
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